霍尔开关集成传感器是以硅为材料，利用硅平面工艺制造的。对于硅材料来讲，制作霍尔元件是不理想的，但在霍尔开关集成传感器上，由于N型硅的外延层材料很薄，可以提高霍尔电压忻。如果应用硅平面工艺技术将差分放大器、施密特触发器及霍尔元件集成在一起，可以大大提高传感器的灵敏度。
　　图是霍尔开关集成传感器的内部结构框图。它主要由稳压电路、霍尔元件、放大器、整形电路以及开路输出五部分组成。稳压电路可使传感器在较宽的电源电压范围内工作，开路输出可使传感器方便与各种逻辑电路接口。
　　霍尔开关集成传感器的工作原理及过程可简述如下:当有磁场作用在传感器上时，根据霍尔效应原理、霍尔元件输出霍尔电压VH，该电压经放大器放大后，送至施密特整形电路。当放大后的VH电压大于"开启"竭值时，施密特整形电路翻转，输出高电平，使半导体管VT导通，且具有吸收电流的负载能力，这种状态称为开状态。当磁场减弱时，霍尔元件输出的巾电压很小，经放大器放大后其值也不于施密特整形电路的 "关闭"阀值，施密特整形器再次翻转，输出低电平，便半导体管VT截止，这种状态称为关状态。这样，一次磁场强度的变化，就便传感器完成了一次开关动作。

　　图:霍尔开关集成传感器内部结构框图