半导体三极管的置换原则如下：

　　(1)一般硅管和锗管是不能互相置换的，必须要做到锗管换锗管，硅管换硅管。

　　(2)置换三极管的极性应相同，即NPN管换NPN管，PNP管换PNP管。这是因为NPN型三极管的发射极，相对其他两个电极是负电位，而PNP型三极管的发射极则是正电位。

　　(3)用于置换的三极管应与原三极管的特性相近，它们的主要参数和特性应相差不多。一般来说应注意以下主要参数:

　　①一般要求用PCM与原三极管相等或大于原有值进行置换。

　　②一般要求用ICM与原三极管相等或大于原有值进行置换。

　　③用于置换的三极管必须能在整机电路中安全地承受最高工作电压。置换中主要考虑BUCBO、BUCEO，对于开关三极管则还应考虑BUEBO。通常要求用于置换的三极管，其上述的三个击穿电压应不小于原三极管对应的三个击穿电压。

　　④高频电路置换用的三极管，其fT和fβ应不小于原三极管对应的fT和fβ。

　　⑤对于低噪声三极管，在置换时应选用噪声系数较小的三极管。

　　⑥对于开关三极管，在置换时应考虑其开关参数。

　　(4)对于小功率三极管，置换时要注意各电极引脚的排列顺序，尽量做到置换管与原三极管相一致。

　　(5)大功率三极管的外形差异较大，置换时应选择外形相似、安装尺寸相同的三极管，以便安装和保持正常的散热条件。