快恢复整流二极管是近期问世的新型半导体器件，它的内部结构与普通二极管不同，它在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P一tI一N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，使反向恢复时间大大减少。除此之外，还降低了瞬态正向压降，使二极管能承受很高的反向电压。

　　反向恢复时间门是快恢复二极管的重要参数，它是指电流通过零点由正向转换成反向，再从反向转换到规定低值的时间间隔，如图一所示。

　　图一　反向恢复电流波形

　　图中IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr是反向恢复电流．通常规定Irr＝0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I＝IF。当t＞to时，由于整流器件上 的正向电压突然变成反向电压，正向电流迅速下降，并在t＝t1时I＝0。在此之后，整流器件中流过反向电流并逐渐增大．

　　快恢复整流二极管的其他参数与普通整流二极管相同。

　　快恢复整流二极管具有开关特性好、反向恢复时间短、'正向电流大、体积小等特点，适用于脉冲调宽器、交流电机变频调速器、开关电源、不间断电源等电子装置中，作高频、高压、大电流整流及续流用。