电子工程师的网站
首 页 |  新闻资讯 | 最新产品 | 技术参数 | 设计应用 | 电路图
技术资料
芯片资料 | 技术论坛
  现在位置: 首页 > 技术资料 > 显示/光电技术 > 详细信息
显示/光电技术:偏离内脊侧壁的距离对载流子密度的影响
来源:   时间: 2008-12-3 7:07:51    

  我们假定几个偏移距离,分别为0.25μm、1μm和4μm,并给出模拟结果,如图1所示。

  图1  N+区偏离内脊侧壁的距离对载流子密度的影响

  由图1我们可以看出,当偏移量为0.25μm和1μm时载流子浓度变化不大,而当偏移量增加到4μm时载流子浓度变化比较明显,但变化还是不算大。

  综上所述,在一定轮廓范围内,载流子浓度变化并不大,这时完全可以不考虑载流子浓度的影响而侧重于考虑光波导截面对光场的影响。

  欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dzsc.com

相关信息
发表评论
打印本页 关闭本页
已有(
)位对此新闻感兴趣的网发发表了看法 >>更多评论
内 容:
     
 
热点新闻
一周排行
关于我们 | 服务项目 | 付款方式 | 广告服务 | 联系我们 | 友情链接 | 投诉 建议 合作 | 网站地图 | 加入收藏
Copyright © 2007-2008 WEEQOO.COM Corp.All Rights Reserved. 版权所有 经营许可证编号:浙B2-20050339 法律声明
维库电子旗下网站:维库电子市场网 | ChinaICMart | 维库电子开发网 | 维库电子人才网
总部:杭州市下城区朝晖路182号国都发展大厦1号楼80A
电话:0571-85889139-8007 QQ:303939539 | MSN:zh1226@hotmail.com |  邮箱:laz8258@163.com dzsc51@163.com