制作折射率导引型结构的VCSEL，需要改变光腔周围的折射率。这可以通过刻蚀／再生长工艺来实现，其基本原理就是在光腔周围生成一个新的半导体材料（折射率也随之变化），起到光场的横向限制作用，如图所示。具体步骤为先制作刻蚀掩模（SiO2，SiNx），将光腔刻蚀成柱型，然后在刻蚀掉的地方通过再次外延工艺生长出新的材料。

　　刻蚀／再生长结构除了对出射光有着良好的限制作用外，还可以对注入电流进行有效的横向限制，并且钝化有源区的侧面及有着良好的热沉特性。然而，由于构成DBR的AlGaAs非常容易受到诸如化学工艺、离子轰击及空气氧化等因素的影响，这些都会对外延生长造成影响。尤其是AlGaAs表面氧化层非常难去除。因此在进行外延生长工艺之前，需要进行特殊的清除及刻蚀处理，并避免将器件暴露在空气中。

　　在高A1组分的VCSEL上进行再生长的可行方法有3种。

　　第一种方法是掩埋异质结型VCSEL，先用干法刻蚀，再用液相外延（LPE）生长。只是LPE中所用到的回熔清除工艺难以控制，不利于制作小尺寸的VCSEL。而且LPE只能再GaAs上外延生长，因此需要非常深的刻蚀（≥8 μm），并且还要再生长几个；μm的材料才能覆盖谐振腔。

　　第二种方法是原位干法刻蚀和MBE再生长。将刻蚀设备和MBE的生长室用一个超高真空环境的传送装置连接，以避免A1GaAs表面与空气的接触。采用此工艺可以得到良好的生长质量，不好的方面是，整个设备都需要置于真空环境中，操作复杂且成本较高。

　　第三种方法是先用干法刻蚀和化学刻蚀去除光腔周围的材料，然后再用MOCVD外延生长。MOCVD的一个主要优点就是可以选择区域生长（可以抑制在掩模材料上生长），因此被看做是一个理想的制作平台。然而，用MOCVD在高Al组分AlGaAs上再生长，需要预先进行严格的非选择性和控制性良好的刻蚀工艺。比较好的办法就是在干法刻蚀完成后，再用湿法刻蚀去掉氧化层，之后立刻送入MOCVD反应室。

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