首先考虑脊高对注入载流子密度的影响。我们这里考虑到脊高是图1中刻蚀掉的深度矽。为了保证单模条件，这个深度一定要小于6.5/2=3.25 gm，所以我们在图1中假设了3.2pm，这个深度对光场的限制较强；用Silvaco进行模拟，并给出模拟结果，

　　下面我们考虑保证单模条件下将莎值减小到2pm。利AA线和BB线的结果分别如图1和图2所示。

　　图1  垂直方向载流子浓度的变化

　　图2   水平方向载流子浓度的变化

　　由图1可以看出，沿AA方向的载流子密度受脊高的影响不大，即使在光场比较集中的地方变化也较小；沿BB方向，差别最大的位置也不过相差了1%左右，所以脊高对载流子密度的影响并不大。

　　对于脊宽度影响，我们考虑3um、4um、5um三种宽度的载流子密度分布，并分别给出脊高在3.2pm和2pm时关于这三种宽度的峰值载流子密度分布情况，如表1所示。

　　表1   三种脊宽的峰值载流子密度分布情况

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